Gruppe-Iii-V-Verbindungshalbleiter-Einkristallsubstrat und Herstellungsverfahren dafür

EP4516975 Art A1 5. März 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4516975
Aktenzeichen: EP22940146
Anmeldetag: 27. April 2022
Veröffentlichung: 5. März 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40C30B29/42C30B11/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von