Puf-Struktur mit Gate über Nichtausgerichteten Halbleiterregionen

EP4517722 Art A1 5. März 2025

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4517722
Aktenzeichen: EP24159005
Anmeldetag: 22. Februar 2024
Veröffentlichung: 5. März 2025
Rechtsraum: EP
IPC: G09C1/00H04L9/08H04L9/32H10B10/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

230 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von