Verbessertes Design einer Verbindungskugelmatrix, Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4523253
Art A1
19. März 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4523253
- Aktenzeichen
- EP23762148
- Anmeldetag
- 21. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 19. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank