Rowhammer-Minderung für Gestapelte Speicherarchitekturen

EP4526880 Art A1 26. März 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4526880
Aktenzeichen
EP24745613
Anmeldetag
5. Juli 2024
Veröffentlichung
26. März 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/406G11C5/04G11C11/4096
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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