Halbleiterbauelement, Chip und Herstellungsverfahren dafür sowie Speichersystem
EP4531515
Art A1
2. April 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4531515
- Aktenzeichen
- EP23925596
- Anmeldetag
- 7. August 2023
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L23/00H10B43/27H10B80/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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