Verfahren zur Herstellung eines Gate-Dielektrikums und eines Gate-Dielektrikums für ein Halbleiterbauelement

EP4535404 Art A1 9. April 2025

Anmelder: Imec VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4535404
Aktenzeichen: EP23201873
Anmeldetag: 5. Oktober 2023
Veröffentlichung: 9. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3115H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Imec VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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