Magnetspeicherzelle auf Stt-Unterstützer Sot-Schreibung mit einem N-Typ-Transistor und einem P-Typ-Transistor als Auswahltransistoren und Mram-Speicher

EP4539050 Art A3 30. April 2025

Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4539050
Aktenzeichen: EP23315049
Anmeldetag: 13. März 2023
Veröffentlichung: 30. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/16G11C11/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Centre National de la Recherche Scientifique
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

7.382 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von