Verfahren zur Herstellung einer Piezoelektrischen oder Halbleiterstruktur

EP4552443 Art A1 14. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4552443
Aktenzeichen: EP23750656
Anmeldetag: 7. Juli 2023
Veröffentlichung: 14. Mai 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/07H10N30/072H10N30/073H10N30/01H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von