Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenzmehrschichtschaltungen auf Geschmolzenem Siliziumdioxid
EP4553891
Art A1
14. Mai 2025
Anmelder: GE Aviation Systems Limited 🇬🇧
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4553891
- Aktenzeichen
- EP24205861
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/15H01L23/498H01L23/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- GE Aviation Systems Limited
- Land
- 🇬🇧 Großbritannien
🇺🇸
GE Aviation Systems LLC
US-amerikanischer Hersteller von Luftfahrtsystemen und Avionik, Teil des Triebwerks- und Luftfahrtkonzerns GE Aerospace.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Openshaw & Co
Openshaw & Co · Onex