Verfahren zur Herstellung einer Quanten-Elektronischen Schaltung mit Reduziertem Gate-Abstand

EP4554356 Art A3 4. Juni 2025

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4554356
Aktenzeichen: EP24210749
Anmeldetag: 5. November 2024
Veröffentlichung: 4. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D64/01H10D30/40H10D48/00H10D64/27// B82Y10/00

Abstract

Un aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit électronique (1) comprenant les étapes de :- former des premières électrodes (51) réparties selon un pas constant R :- former des espaceurs contre les premières électrodes (51) ;- former, entre deux espaceurs voisins, une deuxième électrode (52) ; et- remplacer chaque espaceur par une troisième électrode (53).Les premières, deuxièmes et troisièmes électrodes (51, 52, 53) sont ainsi réparties selon un pas moyen égal à R/4.

Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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