Substrat für eine Integrierte Hochfrequenzvorrichtung und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP4557350 Art A3 20. August 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4557350
Aktenzeichen: EP25166586
Anmeldetag: 5. Juli 2018
Veröffentlichung: 20. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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