Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats für eine Hochfrequenzanwendung

EP4559018 Art A1 28. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4559018
Aktenzeichen: EP23749129
Anmeldetag: 18. Juli 2023
Veröffentlichung: 28. Mai 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10P90/00H10N30/079H10N30/00// H10W10/10H10P14/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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