Verfahren zur Herstellung einer Eindomänen-Dünnschicht aus Lithiumhaltigem Ferroelektrischem Material

EP4562982 Art A1 4. Juni 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4562982
Aktenzeichen: EP23737938
Anmeldetag: 29. Juni 2023
Veröffentlichung: 4. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/01H10N30/07H10N30/072H10N30/086H03H3/02H03H3/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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