Speichervorrichtung zur Reduzierung von Programmstörungen und Löschverfahren dafür
EP4567813
Art A3
29. Oktober 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4567813
- Aktenzeichen
- EP25162829
- Anmeldetag
- 14. November 2019
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/44G11C16/04G11C11/56G11C16/10G11C16/16G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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