Speichervorrichtung zur Reduzierung von Programmstörungen und Löschverfahren dafür

EP4567813 Art A3 29. Oktober 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4567813
Aktenzeichen
EP25162829
Anmeldetag
14. November 2019
Veröffentlichung
29. Oktober 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/44G11C16/04G11C11/56G11C16/10G11C16/16G11C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen