Neuartige 3D-Nand-Speichervorrichtung und Verfahren zur Formung davon

EP4568445 Art A3 1. Oktober 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4568445
Aktenzeichen
EP25170365
Anmeldetag
7. Dezember 2018
Veröffentlichung
1. Oktober 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/14G11C16/04H10B41/10H10B41/27H10B41/50H10B43/10H10B43/27H10B43/50
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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