Vorrichtungen mit Hoher Bandlücke mit Dotierter Gate-Elektrodenerweiterung mit Hoher Bandlücke
EP4569543
Art A1
18. Juni 2025
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4569543
- Aktenzeichen
- EP23768029
- Anmeldetag
- 10. August 2023
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/10H01L21/337H01L29/778H01L29/20H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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