Halbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung eines N-Dotierten Gruppe-Iii-Nitrid-Kontakts

EP4571840 Art A1 18. Juni 2025

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4571840
Aktenzeichen: EP23216053
Anmeldetag: 12. Dezember 2023
Veröffentlichung: 18. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/08H01L21/02H01L21/338H01L29/778// H01L29/20H01L29/10H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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