Verbesserung der Transistorleistung für Gestapelte Vorrichtungen mit Selektiven Vorder- und Rückseitenkontaktmetallen
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4576185
- Aktenzeichen
- EP24210742
- Anmeldetag
- 5. November 2024
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/522H01L23/528H01L23/532
Abstract
Devices, transistor structures, systems, and techniques are described herein related to selective front and backside contacts for stacked transistor devices. A transistor structure includes stacked first and second semiconductor structures with stacked first and second conductivity type source and drain structures coupled to the first and second semiconductor structures, respectively. A selective metal is on the frontside of first conductivity type source and a different metal is on the backside of the second conductivity type source. A deep via optionally having yet a different metal couples the frontside contact to backside metallization over the backside contact.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.