Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermusters

EP4576191 Art A1 25. Juni 2025

Anmelder: Imec VZW, Tokyo Electron Limited 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4576191
Aktenzeichen
EP23220073
Anmeldetag
22. Dezember 2023
Veröffentlichung
25. Juni 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/822H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/66// H01L29/06H01L29/10H01L29/775H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Imec VZW
Tokyo Electron Limited
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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