Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermusters
EP4576191
Art A1
25. Juni 2025
Anmelder: Imec VZW, Tokyo Electron Limited 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4576191
- Aktenzeichen
- EP23220073
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/822H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/66// H01L29/06H01L29/10H01L29/775H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Imec VZW
Tokyo Electron Limited - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
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Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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