Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Substrats
EP4576199
Art A1
25. Juni 2025
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4576199
- Aktenzeichen
- EP23218530
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/373C04B37/00H05K1/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
-
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen