Verfahren und Vorrichtung zur Erkennung von Defekten in Gate-All-Around-Transistorarchitekturen
EP4579586
Art A1
2. Juli 2025
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4579586
- Aktenzeichen
- EP24207005
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06T7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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