Rückseitiges Epitaxialwachstum für Verbesserte Kontaktfläche
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4580333
- Aktenzeichen
- EP24211792
- Anmeldetag
- 8. November 2024
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10D62/13H10D64/01H10D64/23H01L21/28H01L21/283// B82Y10/00
Abstract
Techniques are provided to form an integrated circuit having backside epaxially grown source or drain regions in addition to the frontside source or drain regions to reduce backside contact resistance. A semiconductor device includes a gate structure around or otherwise on a semiconductor region. The gate structure includes a gate dielectric and a gate electrode. The substrate beneath the semiconductor device may be removed from the backside to expose a subfin region beneath the semiconductor region. The subfin region may be removed using a backside etch to open a backside recess that exposes a bottom surface of a given frontside source or drain region. A backside source or drain region may be grown on a bottom surface of the given frontside source or drain region and remain within the backside recess or extend out of the backside recess.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.