Gerichtete Selbstanordnungsaktivierte Rückseitenkontaktarrays, die auf Gate-Elektroden Ausgerichtet Sind
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4580341
- Aktenzeichen
- EP24210829
- Anmeldetag
- 5. November 2024
- Veröffentlichung
- 6. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/01H10D30/01H10D30/00H10D84/83H10D64/27
Abstract
Transistor structures between and coupled to front- and back-side interconnect layers may have precisely aligned arrays of contacts and dielectric structures over and under the transistor structures. Transistor structures may have a gate electrode thickness under a channel region one-and-a-half or two times greater than a thickness between adjacent nanoribbons in the channel region. Front- and back-side spacer layers with a same composition may have a discernible interface. Contacts and dielectric structures on a back side may be formed using directed self-assembly of sacrificial materials aligned to gate electrodes revealed on a substrate back side.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.