Verfahren zur Herstellung der Vorderseite einer Platte aus Polykristallinem Siliciumcarbid

EP4581664 Art A1 9. Juli 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4581664
Aktenzeichen: EP23783464
Anmeldetag: 23. August 2023
Veröffentlichung: 9. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/304B24B7/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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