T-Gate-Transistor mit Minifeldplatte und Abgewinkeltem Gate-Schaft

EP4581681 Art A1 9. Juli 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4581681
Aktenzeichen: EP23732316
Anmeldetag: 15. Mai 2023
Veröffentlichung: 9. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L21/285H01L29/778H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von