Verfahren zur Herstellung von Leicht Oxidiertem Kupferhaltigem Partikel und mit Leicht Oxidiertem Kupfer Beschichtetes Kupferpartikel

EP4582196 Art A1 9. Juli 2025

Anmelder: National University Corporation Hokkaido University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4582196
Aktenzeichen
EP23860424
Anmeldetag
30. August 2023
Veröffentlichung
9. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
B22F1/14B22F1/00B22F7/06B22F1/16B22F7/08B22F1/052B22F1/054B22F1/107H01B1/22B22F9/20H01B1/02C22C9/00B22F1/145
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
National University Corporation Hokkaido University
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

882 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen