Rückwärtsleitender Bipolartransistor mit Isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung

EP4583165 Art A1 9. Juli 2025

Anmelder: Nio Technology (Anhui) Co., Ltd 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4583165
Aktenzeichen: EP24150448
Anmeldetag: 4. Januar 2024
Veröffentlichung: 9. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/739H01L29/861// H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nio Technology (Anhui) Co., Ltd
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Nio Technology (Anhui)

Der Anmelder ist eine chinesische Fertigungsgesellschaft des Elektroautoherstellers NIO in der Provinz Anhui. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Fahrzeugtechnik sowie auf Halbleiterbauelemente, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen seit 2020 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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