Bipolare Transistorbasisstruktur Gekoppelt an eine Gatestruktur eines Feldeffekttransistors

EP4586323 Art A1 16. Juli 2025

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4586323
Aktenzeichen: EP24187624
Anmeldetag: 10. Juli 2024
Veröffentlichung: 16. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/08H01L21/8249H01L27/06H01L29/73H01L29/735H01L29/10H01L29/423H01L29/78H01L27/12H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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