Heteroübergang-Bipolartransistoren mit einer Intrinsischen Basis mit Asymmetrischem Dotierungstiefenprofil

EP4586324 Art A1 16. Juli 2025

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4586324
Aktenzeichen: EP24187619
Anmeldetag: 10. Juli 2024
Veröffentlichung: 16. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/10H01L29/36H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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