Verfahren zur Erzeugung Tiefliegender P-N-Übergänge in einem Bcd-Prozess, Bcd-Substrat und Darauf Basierende Einzelphotonen-Lawinendiode

EP4586767 Art A3 24. September 2025

Anmelder: Elmos Semiconductor SE 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4586767
Aktenzeichen: EP25161988
Anmeldetag: 26. September 2023
Veröffentlichung: 24. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10F71/00H10F30/225H10F39/00H01L21/225

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Elmos Semiconductor SE
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Elmos Semiconductor

Elmos Semiconductor ist ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in Dortmund, spezialisiert auf integrierte Schaltungen für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Elektronik- und Kommunikationstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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