Wafer aus Gesintertem Siliciumnitrid und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls damit

EP4588904 Art A1 23. Juli 2025

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4588904
Aktenzeichen: EP23865544
Anmeldetag: 13. September 2023
Veröffentlichung: 23. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/587H01L23/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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