Strukturen mit einer durch Laterales Epitaxialwachstum Geformten Halbleiterschicht

EP4593060 Art A1 30. Juli 2025

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4593060
Aktenzeichen: EP24190520
Anmeldetag: 24. Juli 2024
Veröffentlichung: 30. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

230 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von