Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats zur Verwendung in einem Piezoelektrischen Dünnschichtübertragungsverfahren

EP4595727 Art A1 6. August 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4595727
Aktenzeichen: EP23776405
Anmeldetag: 28. September 2023
Veröffentlichung: 6. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/07H10N30/071H10N30/072H10N30/073H10N30/079

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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