Gebondete Halbleiterbauelemente mit Prozessor und Dynamischem Direktzugriffspeicher und Verfahren zur Formung davon

EP4597499 Art A3 21. Januar 2026

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4597499
Aktenzeichen
EP25183753
Anmeldetag
11. September 2019
Veröffentlichung
21. Januar 2026
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L21/98H01L25/065G11C11/00G11C5/02H01L23/00// H01L21/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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