Integrierte Schaltungsstruktur mit Direktem Rückseiten-Source- oder Drain-Kontakt, der durch Silicium-Germanium-Ätzstopp Aktiviert Wird

EP4608090 Art A1 27. August 2025

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4608090
Aktenzeichen: EP25152621
Anmeldetag: 17. Januar 2025
Veröffentlichung: 27. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D84/01H10D30/01H10D30/43H10D30/00H10D84/03H10D84/83

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.648 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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