Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbidschicht

EP4609430 Art A1 3. September 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4609430
Aktenzeichen: EP23805643
Anmeldetag: 25. Oktober 2023
Veröffentlichung: 3. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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