Verfahren zur Herstellung einer Vertikalen Galliumnitridstruktur und eine auf Dieser Struktur Basierende Vorrichtung

EP4618134 Art A1 17. September 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4618134
Aktenzeichen: EP25162348
Anmeldetag: 7. März 2025
Veröffentlichung: 17. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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