Doppelkontinuierliche Gradierte Rückbarrieren-Gruppe-Iii-Nitrid-Heterostruktur mit Hoher Elektronenmobilität

EP4620037 Art A1 24. September 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4620037
Aktenzeichen: EP23772043
Anmeldetag: 10. August 2023
Veröffentlichung: 24. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/872H01L29/20H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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