Verfahren zum Herstellen eines Hochdotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
EP4621111
Art A1
24. September 2025
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4621111
- Aktenzeichen
- EP24164119
- Anmeldetag
- 18. März 2024
- Veröffentlichung
- 24. September 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/04C30B27/02C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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