Partielle Vertiefung mit Tiefer Durchgangsrückseite (dvb) zur Kapazitätsreduktion in Komplementären Fet (cfet)-Transistoren
EP4626174
Art A1
1. Oktober 2025
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4626174
- Aktenzeichen
- EP25151800
- Anmeldetag
- 14. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/01H10D88/00H10D30/00// H10D30/01H10D30/67H10D62/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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