Träger mit Ladungseinfangschicht, Verbundsubstrat mit Solch einem Träger und Zugehörige Herstellungsverfahren

EP4627620 Art A1 8. Oktober 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4627620
Aktenzeichen: EP23812956
Anmeldetag: 27. November 2023
Veröffentlichung: 8. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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