Struktur mit einer Borarsenidschicht mit Hoher Wärmeleitfähigkeit und Herstellungsverfahren

EP4630608 Art A1 15. Oktober 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4630608
Aktenzeichen: EP23820831
Anmeldetag: 5. Dezember 2023
Veröffentlichung: 15. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18C30B29/40C30B33/06H01L21/02H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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