Verfahren zur Stabilisierung einer Oberfläche eines Halbleitermaterials
EP4634969
Art A1
22. Oktober 2025
Anmelder: SOITEC, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4634969
- Aktenzeichen
- EP23837753
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SOITEC
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank