Verfahren zur Herstellung von Zwei Substraten, die als Donor-Pseudosubstrate Genannt Werden, die Jeweils mindestens Zwei Fliesen auf einem Trägersubstrat Umfassen

EP4639610 Art A1 29. Oktober 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4639610
Aktenzeichen: EP23841016
Anmeldetag: 19. Dezember 2023
Veröffentlichung: 29. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/02H10N30/072

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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