Verfahren zur Herstellung einer Eindomänen-Dünnschicht aus Ferroelektrischem Material mit Lithium

EP4640023 Art A1 29. Oktober 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4640023
Aktenzeichen: EP23828169
Anmeldetag: 13. Dezember 2023
Veröffentlichung: 29. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/072H10N30/073H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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