Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtigen Struktur mit einer Porösen Siliziumschicht
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4643372
- Aktenzeichen
- EP23837370
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 5. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/18H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
SOITEC - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Cabinet Camus & Lebkiri in Paris wurde maßgeblich von Alexandre Lebkiri geprägt, der zuvor beim INPI den Softwareschutz mitgestaltete. Mit Standorten auch in Grenoble und Cergy-Pontoise berät das Team zu Software- und Markenfragen und wurde im Décideurs-Ranking 2024 für Telekommunikationspatente ausgezeichnet.