Siliciumnitridsubstrat und Siliciumnitridleiterplatte damit
Anmelder: Niterra Materials Co., Ltd., Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4654258
- Aktenzeichen
- EP24744747
- Anmeldetag
- 19. Januar 2024
- Veröffentlichung
- 26. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/13H01L23/12H01L23/15H05K1/03
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Niterra Materials Co., Ltd.
Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.
411 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München