Halbleiterstrukturen in Dreidimensionalen Speichervorrichtungen

EP4655781 Art A1 3. Dezember 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4655781
Aktenzeichen
EP24730866
Anmeldetag
16. April 2024
Veröffentlichung
3. Dezember 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/02G11C7/18G11C8/14G11C16/04G11C16/08G11C16/24G11C11/56G11C16/26H10B43/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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