Struktur mit einer auf einen Träger Übertragenen Oberflächenschicht mit einer Ladungseinfangschicht mit Begrenzter Kontamination und Verfahren zur Herstellung davon

EP4655821 Art A1 3. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4655821
Aktenzeichen: EP23840763
Anmeldetag: 29. Dezember 2023
Veröffentlichung: 3. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02H01L21/306H10N30/072H01L21/3105H01L21/321

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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