Vorspannungsstruktur für Halbleitergehäuse und Verfahren zu deren Herstellung
EP4657508
Art A3
17. Dezember 2025
Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4657508
- Aktenzeichen
- EP25177540
- Anmeldetag
- 20. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/31// H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics International N.V.
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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